MBE-grown InSb photodetector arrays

A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar’, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The MBE method has been applied to grow InSb layers on InSb substrates. These layers have served as a basis for fabricating mid-wave IR photodetector arrays. The characteristics of photodetector arrays on epitaxial InSb layers have been compared with those of series-produced single-crystal InSb arrays.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)915-919
Число страниц5
ЖурналTechnical Physics
Том62
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 июн 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «MBE-grown InSb photodetector arrays». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Bakarov, A. K., Gutakovskii, A. K., Zhuravlev, K. S., Kovchavtsev, A. P., Toropov, A. I., Burlakov, I. D., Boltar’, K. O., Vlasov, P. V., & Lopukhin, A. A. (2017). MBE-grown InSb photodetector arrays. Technical Physics, 62(6), 915-919. https://doi.org/10.1134/S1063784217060044