Luminescent properties of GeO x thin films and GeO/SiO 2 heterostructures modified with swift heavy ions

S. G. Cherkova, V. A. Volodin, V. A. Skuratov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

The luminescent and structural properties of GeO x thin films and GeO/SiO 2 multilayer heterostructures, irradiated with 167 MeV Xe ions with fluencies up to 10 13 cm -2 , were studied. We report strong photoluminescence in visible range at room temperature, which is most probably due to Ge-related defect-induced radiative transitions. And infrared luminescence bands (from ∼0.8 eV to ∼1.2 eV) were observed in as-deposited and irradiated structures, which can be related to defects or defects complexes in Ge x Si y O 2 glass and partially in Si substrate. It was shown that swift heavy ion irradiation does not lead to the expected phase separation of germanium suboxide into germanium nanoclusters and GeO 2 , but causes the intermixing of GeO/SiO 2 layers with the formation of Ge-O-Si bonds.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииInternational Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018
РедакторыVladimir F. Lukichev, Konstantin V. Rudenko
ИздательSPIE
Число страниц8
Том11022
ISBN (электронное издание)9781510627093
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2019
СобытиеInternational Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, ICMNE 2018 - Zvenigorod, Российская Федерация
Продолжительность: 1 окт 20185 окт 2018

Серия публикаций

НазваниеProceedings of SPIE
ИздательSPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
Том11022
ISSN (печатное издание)0277-786X

Конференция

КонференцияInternational Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, ICMNE 2018
СтранаРоссийская Федерация
ГородZvenigorod
Период01.10.201805.10.2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Luminescent properties of GeO <sub>x</sub> thin films and GeO/SiO <sub>2</sub> heterostructures modified with swift heavy ions». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Skuratov, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H., & Vergnat, M. (2019). Luminescent properties of GeO x thin films and GeO/SiO 2 heterostructures modified with swift heavy ions. В V. F. Lukichev, & K. V. Rudenko (Ред.), International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018 (Том 11022). [1102214] (Proceedings of SPIE; Том 11022). SPIE. https://doi.org/10.1117/12.2521696