Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

It is necessary to protect the surface of AlAs-based heterostructures from oxidation using a GaAs cap layer because of the high reactivity of aluminum. Thus, the surface region of these heterostructures always contains a GaAs/AlAs heterojunction. Here, it is demonstrated that, under nonresonant photoexcitation, the photoluminescence spectrum of AlAs-based heterostructures features a band associated with this heterojunction. The intensity of this band is determined by the thickness and doping type of the GaAs cap layer.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)1513-1516
Число страниц4
ЖурналSemiconductors
Том51
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 ноя 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать