Localization of Excitons on Planar Defects in Semiconductor Crystals

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Localized states of a large-radius exciton on a planar short-range defect, which is simulated by the potential −Vδ(z), are studied theoretically. The ratio of the amplitude V to e2/ε (ε is the dielectric constant) determines two asymptotic regimes of weak and strong localization. In both cases, the radiation lifetime of the exciton increases with V according to power laws V1/4 and V in the cases of weak and strong localization, respectively.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)230-233
Число страниц4
ЖурналJETP Letters
Том112
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 авг 2020

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Localization of Excitons on Planar Defects in Semiconductor Crystals». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать