Local Oscillations of Silicon–Silicon Bonds in Silicon Nitride

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

4 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Raman spectra of films of nearly stoichiometric amorphous silicon nitride (a-Si3N4) reveal a contribution due to local oscillations of silicon–silicon (Si–Si) bonds. This observation directly confirms that the almost stoichiometric a-Si3N4 contains Si–Si bonds, which, according to theoretical predictions, act as electron and hole traps that are responsible for the memory effect in Si3N4.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)424-427
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics Letters
Том44
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Local Oscillations of Silicon–Silicon Bonds in Silicon Nitride». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать