Laser-Induced Damage Threshold of dark yellow phase BaGa4Se7 Crystal at 1053 nm

A. A. Boyko, E. Yu Eryshin, N. Yu Kostyukova, D. B. Kolker, A. I. Kostyukov, I. B. Miroshnichenko, D. V. Badikov, V. V. Badikov

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

Laser induced damage in dark yellow phase of BaGa4Se7 (BGSe) crystal has been investigated at the wavelengths of 1053 nm. Damage by multiple pulse irradiation (500 pulses) has been studied and the probabilistic behavior of the damage is discussed.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииProceedings - International Conference Laser Optics 2020, ICLO 2020
ИздательInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (электронное издание)9781728152332
DOI
СостояниеОпубликовано - 2 ноя 2020
Событие2020 International Conference Laser Optics, ICLO 2020 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 2 ноя 20206 ноя 2020

Серия публикаций

НазваниеProceedings - International Conference Laser Optics 2020, ICLO 2020

Конференция

Конференция2020 International Conference Laser Optics, ICLO 2020
СтранаРоссийская Федерация
ГородSt. Petersburg
Период02.11.202006.11.2020

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Laser-Induced Damage Threshold of dark yellow phase BaGa4Se7 Crystal at 1053 nm». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать