Laser-Induced Damage Threshold of Barium Chalcogenides Crystals at 2091 nm

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

This paper is devoted to a determination of the 0% probability laser-induced damage threshold of the BaGa4Se7 and BaGa2GeSe6 nonlinear elements by the R-on-1 procedure. A Ho:YAG laser radiation at 2091 nm with pulse duration 13-17 ns and varied pulse repetition rate, 2 kHz, 5 kHz and 10 kHz, was used for testing.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииProceedings - International Conference Laser Optics 2020, ICLO 2020
ИздательInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (электронное издание)9781728152332
DOI
СостояниеОпубликовано - 2 ноя 2020
Событие2020 International Conference Laser Optics, ICLO 2020 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 2 ноя 20206 ноя 2020

Серия публикаций

НазваниеProceedings - International Conference Laser Optics 2020, ICLO 2020

Конференция

Конференция2020 International Conference Laser Optics, ICLO 2020
СтранаРоссийская Федерация
ГородSt. Petersburg
Период02.11.202006.11.2020

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Laser-Induced Damage Threshold of Barium Chalcogenides Crystals at 2091 nm». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать