Laser-Induced Damage Threshold of Barium Chalcogenides Crystals at 2091 nm

N. Yu Kostyukova, A. A. Boyko, I. D. Eranov, D. B. Kolker, O. L. Antipov, E. Yu Erushin, A. I. Kostyukov, D. V. Badikov, V. V. Badikov

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

This paper is devoted to a determination of the 0% probability laser-induced damage threshold of the BaGa4Se7 and BaGa2GeSe6 nonlinear elements by the R-on-1 procedure. A Ho:YAG laser radiation at 2091 nm with pulse duration 13-17 ns and varied pulse repetition rate, 2 kHz, 5 kHz and 10 kHz, was used for testing.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииProceedings - International Conference Laser Optics 2020, ICLO 2020
ИздательInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (электронное издание)9781728152332
DOI
СостояниеОпубликовано - 2 ноя 2020
Событие2020 International Conference Laser Optics, ICLO 2020 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 2 ноя 20206 ноя 2020

Серия публикаций

НазваниеProceedings - International Conference Laser Optics 2020, ICLO 2020

Конференция

Конференция2020 International Conference Laser Optics, ICLO 2020
СтранаРоссийская Федерация
ГородSt. Petersburg
Период02.11.202006.11.2020

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Laser-Induced Damage Threshold of Barium Chalcogenides Crystals at 2091 nm». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать