Laser-induced damage threshold of BaGa4Se7 and BaGa2GeSe6 nonlinear crystals at 1.053 μm

Nadezhda Y. Kostyukova, Andrey A. Boyko, Evgenii Y. Erushin, Anton I. Kostyukov, Valeriy V. Badikov, Dmitrii V. Badikov, Dmitry B. Kolker

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

We investigated the laser-induced damage threshold of two barium chalcogenides crystals, BaGa4Se7 and BaGa2GeSe6, at 1.053 μm radiation with a pulse duration of 7–10 ns at different pulse repetition rates, namely, 100 Hz, 500 Hz, and 1 kHz. The R-on-1 procedure was applied to determine the 0% probability damage threshold. Both crystals have close values of surface damage threshold at 0.1 kHz, 299 MW∕cm2 (2.28 J∕cm2) for BaGa2GeSe6, and 319 MW∕cm2 (2.30 J∕cm2) for BaGa4Se7

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)2260-2265
Число страниц6
ЖурналJournal of the Optical Society of America B: Optical Physics
Том36
Номер выпуска8
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 авг 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Laser-induced damage threshold of BaGa<sub>4</sub>Se<sub>7</sub> and BaGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub> nonlinear crystals at 1.053 μm». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать