Ion-beam synthesis of InSb nanocrystals at the Si/SiO2 interface

Ida Tyschenko, Ruonan Zhang, Vladimir Volodin, Vladimir Popov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

The formation of InSb nanocrystals at the bonding Si/SiO2 interface of silicon-on-insulator structure was obtained as a result of the In and Sb atom diffusion from the ion-implanted SiO2 and Si regions, respectively, toward the interface. After the annealing at 1000 °C, the Raman scattering peaks corresponding to the transverse and longitudinal optical phonon mode in the monocrystalline InSb matrix were obtained. As the annealing temperature grew to 1100 °C, the transverse optical phonon mode vanished and the longitudinal optical phonon mode dominated in the spectrum. This effect is explained by matching InSb and Si lattice constants under ion-beam synthesis conditions.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи131027
ЖурналMaterials Letters
Том306
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Ion-beam synthesis of InSb nanocrystals at the Si/SiO<sub>2</sub> interface». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать