Investigation of Hf(Zr)O2 film ferroelectric properties grown by atomic layer deposition method

Ramin M.H. Iskhakzay, Vladimir Sh Aliev, Vladimir A. Gritsenko

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

The results of the film ferroelectric properties investigation based on mixed oxide Hf(Zr)O2 are described. The Hf(Zr)O2 structures I-V characteristics were measured and analyzed before and after the 'wake up' operation, and the electric field dependence of the polarization P(E) was calculated. The switching cycles number dependence of the maximum polarization Pmax(n) was obtained, and the stability of Hf(Zr)O2-based structures to 107 switching cycles was confirmed.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикации2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Proceedings
ИздательIEEE Computer Society
Страницы12-15
Число страниц4
Том2018-July
ISBN (печатное издание)9781538650219
DOI
СостояниеОпубликовано - 13 авг 2018
Событие19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Erlagol, Altai, Российская Федерация
Продолжительность: 29 июн 20183 июл 2018

Конференция

Конференция19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018
СтранаРоссийская Федерация
ГородErlagol, Altai
Период29.06.201803.07.2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Investigation of Hf(Zr)O<sub>2</sub> film ferroelectric properties grown by atomic layer deposition method». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Iskhakzay, R. M. H., Aliev, V. S., & Gritsenko, V. A. (2018). Investigation of Hf(Zr)O2 film ferroelectric properties grown by atomic layer deposition method. В 2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Proceedings (Том 2018-July, стр. 12-15). [8434958] IEEE Computer Society. https://doi.org/10.1109/EDM.2018.8434958