Interface Studies in HgTe/HgCdTe Quantum Wells

Nikolay Mikhailov, Vasiliy Shvets, Danil Ikusov, Ivan Uzhakov, Sergey Dvoretsky, Karim Mynbaev, Piotr Dluzewski, Jerzy Morgiel, Zbigniew Swiatek, Olexander Bonchyk, Ihor Izhnin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Transmission electron microscopy (TEM) is used for the study of interfaces in two HgTe/HgCdTe single quantum-well (QW) structures grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates. The studies are conducted in bright-field and scanning/high-angle annular dark field modes. The effect of the growth mode on the sharpness of interfaces in the QWs is investigated. Effective in situ ellipsometric control over chemical composition and thickness of the layers constituting the QW structures is demonstrated.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи1900598
Число страниц5
ЖурналPhysica Status Solidi (B) Basic Research
Том257
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2020

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Interface Studies in HgTe/HgCdTe Quantum Wells». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Mikhailov, N., Shvets, V., Ikusov, D., Uzhakov, I., Dvoretsky, S., Mynbaev, K., Dluzewski, P., Morgiel, J., Swiatek, Z., Bonchyk, O., & Izhnin, I. (2020). Interface Studies in HgTe/HgCdTe Quantum Wells. Physica Status Solidi (B) Basic Research, 257(5), [1900598]. https://doi.org/10.1002/pssb.201900598