Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

A. P. Kovchavtsev, M. S. Aksenov, A. V. Tsarenko, A. E. Nastovjak, A. G. Pogosov, D. A. Pokhabov, O. E. Tereshchenko, N. A. Valisheva

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия

Engineering

Chemistry and Materials

Physics

Aerospace Sciences

General

Mathematical and Computer Sciences