Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emel’yanov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, A. V. Vasev, M. Yu Esin, I. D. Loshkarev, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, T. S. Shamirzaev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The influence of dislocation filters based on low-temperature layers (LT) of GaAs and postgrowth annealing on the perfection of GaAs/Si heterostructures is discussed. It is shown that LT-GaAs layers reduce the density of threading dislocations and surface roughness. Post-growth annealing at a temperature of 650 °C reduces the concentration of nonradiative recombination centers in GaAs/Si layers to a level close to the level in GaAs layers grown on a matched substrate.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)181-186
Число страниц6
ЖурналOptoelectronics, Instrumentation and Data Processing
Том54
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мар 2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V., & Shamirzaev, T. S. (2018). Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 54(2), 181-186. https://doi.org/10.3103/S8756699018020103