Hot electrons in silicon oxide

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхобзорная статья

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

One particular application of amorphous silicon oxide (SiO2), a material crucial for silicon device technology and design, is as a flash memory tunnel dielectric. The breakdown field of SiO2 exceeds 107 V cmÿ1. Strong electric fields in SiO2 give rise to phenomena that do not occur in crystalline semicon-ductors. In relatively weak electric fields (104ÿ106 Vcmÿ1), the electron distribution function is determined by the scattering of electrons on longitudinal optical phonons. In high fields (in excess of 106 V cmÿ1), the distribution function is determined by electron-acoustic phonon scattering.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)902-910
Число страниц9
ЖурналPhysics-Uspekhi
Том60
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - сен 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Hot electrons in silicon oxide». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать