High-power microwave photodiodes with Schottky contact based on InAlAs/InGaAs/InP heteroepitaxial structures

K. S. Zhuravlev, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, D. D. Dmitriev, A. I. Toropov, I. B. Chistokhin, A. M. Gilinsky, D. Y. Protasov, S. A. Malyshev, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

Dark current-voltage characteristics, sensitivity and microwave characteristics of photodiodes based on InAlAs/InGaAs (0.6-1.5 μm)/InP(001) heteroepitaxial layers with Schottky barrier and mesa structure were studied. It is shown that the dark current at reverse bias of 2 V for photodiodes with diameters from 10 to 40 μm does not exceed 1××10-10 A. The sensitivity of photodiodes of different diameters with an InGaAs absorbing layer of 640 nm thick is not less than 0.55 W. For Schottky photodiodes with a diameter of 15 μm, cutoff frequency is 28 GHz and maximal output microwave power is 58 mW at the frequency of 20 GHz.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикации2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings
ИздательInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Число страниц2
ISBN (электронное издание)9781728107165
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2019
Событие2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Guangzhou, Китай
Продолжительность: 19 мая 201922 мая 2019

Серия публикаций

Название2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings

Конференция

Конференция2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019
СтранаКитай
ГородGuangzhou
Период19.05.201922.05.2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «High-power microwave photodiodes with Schottky contact based on InAlAs/InGaAs/InP heteroepitaxial structures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать