High mobility oxide complementary tfts for system-on-display and three-dimensional brain-mimicking ic

Albert Chin, Te Jui Yen, You Da Chen, Cheng Wei Shih, Vladimir Gritsenko

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференциирецензирование

Аннотация

One technology bottleneck for system-on-panel (SoP) is the lacking of high-performance p-type thin-film transistor (pTFT). Using high dielectric-constant (high-κ) gate materials with optimized processes, high hole and electron field-effect mobility of 7.6 and 345 cm2/Vs were measured in pTFT and nTFT, respectively. These high mobility devices on SiO2 are the enabling technology for SoP and crucial for three-dimensional brain-mimicking integrated circuit (IC)-the technology trend for IC after reaching the quantum-mechanical limit soon.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)292-294
Число страниц3
ЖурналDigest of Technical Papers - SID International Symposium
Том52
Номер выпускаS1
DOI
СостояниеОпубликовано - 2021
СобытиеInternational Conference on Display Technology, ICDT 2020 - Wuhan, Китай
Продолжительность: 18 окт 202021 окт 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «High mobility oxide complementary tfts for system-on-display and three-dimensional brain-mimicking ic». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать