Hear-resistant polymides wirt electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage

D. S. Odintsov; I. K. Shundrina; A. A. Gismatulin; I. A. Azarov; R. V. Andreev; V. A. Gritsenko; L. A. Shundrin

doi:10.1134/S0022476622110117

Hear-resistant polymides wirt electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage

Переведенное название: Термостойкие полиимиды с электроноакцепторными пендантными группами тиоксантенонового ряда для запоминающих устройств резистивного типа с малым напряжением переключений

D. S. Odintsov, I. K. Shundrina, A. A. Gismatulin, I. A. Azarov, R. V. Andreev, V. A. Gritsenko, L. A. Shundrin

Лаборатория функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Аннотация

Показано, что новые амбиполярные полиимиды, содержащие в своей структуре пендантные электроноакцепторные группы тиоксантенонового ряда, обладают высокой термостойкостью (до 400 °C), хорошей способностью к пленкообразованию и шириной запрещенной зоны 3.15 < E g < 3.42 эВ ( T = 295 K). Методом центрифугирования растворов полиимидов на кремниевые подложки p ++-Si(100) изготовлены и протестированы модельные резистивные запоминающие устройства, представляющие собой структуру «металл-диэлектрик-металл» с алюминиевыми противоэлектродами и средней толщиной полимерного слоя ~40 нм. Устройства продемонстрировали энергонезависимый WORM тип памяти.

Переведенное название	Термостойкие полиимиды с электроноакцепторными пендантными группами тиоксантенонового ряда для запоминающих устройств резистивного типа с малым напряжением переключений
Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	1811-1819
Число страниц	9
Журнал	Journal of Structural Chemistry
Том	63
Номер выпуска	11
DOI	https://doi.org/10.1134/S0022476622110117
Состояние	Опубликовано - нояб. 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
1.04 ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Доступ к документу

10.1134/S0022476622110117

Другие файлы и ссылки

Цитировать

Odintsov, D. S., Shundrina, I. K., Gismatulin, A. A., Azarov, I. A., Andreev, R. V., Gritsenko, V. A., & Shundrin, L. A. (2022). Hear-resistant polymides wirt electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage. Journal of Structural Chemistry, 63(11), 1811-1819. https://doi.org/10.1134/S0022476622110117

@article{73e41eb4bd9745139b9375087bee25a9,

title = "Hear-resistant polymides wirt electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage",

abstract = "New ambipolar polyimides containing pendant electron-acceptor groups of the thioxanthenone series are shown to have a high thermal stability (up to 400 °C), a good film-forming ability, and a band gap 3.15 < Eg < 3.42 eV (T = 295 K). By spin-coating of polyimide solutions onto p++-Si(100) silicon plates, model resistive memory devices of the metal–dielectric–metal type with an average polymer layer thickness of ~40 nm and aluminum counter electrodes are made and tested. The devices demonstrate non-volatile memory of the WORM type.",

keywords = "ambipolar polyimides, dielectric films, organic electronics, pendant groups, resistive memory, scanning ellipsometry, thioxanthenones",

author = "Odintsov, {D. S.} and Shundrina, {I. K.} and Gismatulin, {A. A.} and Azarov, {I. A.} and Andreev, {R. V.} and Gritsenko, {V. A.} and Shundrin, {L. A.}",

note = "Funding Information: The work was supported by the Russian Science Foundation (project No. 22-13-00108). Publisher Copyright: {\textcopyright} 2022, Pleiades Publishing, Ltd.",

year = "2022",

month = nov,

doi = "10.1134/S0022476622110117",

language = "English",

volume = "63",

pages = "1811--1819",

journal = "Journal of Structural Chemistry",

issn = "0022-4766",

publisher = "Springer GmbH & Co, Auslieferungs-Gesellschaf",

number = "11",

}

Odintsov, DS, Shundrina, IK, Gismatulin, AA, Azarov, IA, Andreev, RV, Gritsenko, VA & Shundrin, LA 2022, 'Hear-resistant polymides wirt electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage', Journal of Structural Chemistry, том. 63, № 11, стр. 1811-1819. https://doi.org/10.1134/S0022476622110117

Hear-resistant polymides wirt electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage. / Odintsov, D. S.; Shundrina, I. K.; Gismatulin, A. A. и др.

В: Journal of Structural Chemistry, Том 63, № 11, 11.2022, стр. 1811-1819.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

TY - JOUR

T1 - Hear-resistant polymides wirt electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage

AU - Odintsov, D. S.

AU - Shundrina, I. K.

AU - Gismatulin, A. A.

AU - Azarov, I. A.

AU - Andreev, R. V.

AU - Gritsenko, V. A.

AU - Shundrin, L. A.

PY - 2022/11

Y1 - 2022/11

N2 - New ambipolar polyimides containing pendant electron-acceptor groups of the thioxanthenone series are shown to have a high thermal stability (up to 400 °C), a good film-forming ability, and a band gap 3.15 < Eg < 3.42 eV (T = 295 K). By spin-coating of polyimide solutions onto p++-Si(100) silicon plates, model resistive memory devices of the metal–dielectric–metal type with an average polymer layer thickness of ~40 nm and aluminum counter electrodes are made and tested. The devices demonstrate non-volatile memory of the WORM type.

AB - New ambipolar polyimides containing pendant electron-acceptor groups of the thioxanthenone series are shown to have a high thermal stability (up to 400 °C), a good film-forming ability, and a band gap 3.15 < Eg < 3.42 eV (T = 295 K). By spin-coating of polyimide solutions onto p++-Si(100) silicon plates, model resistive memory devices of the metal–dielectric–metal type with an average polymer layer thickness of ~40 nm and aluminum counter electrodes are made and tested. The devices demonstrate non-volatile memory of the WORM type.

KW - ambipolar polyimides

KW - dielectric films

KW - organic electronics

KW - pendant groups

KW - resistive memory

KW - scanning ellipsometry

KW - thioxanthenones

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85143540837&partnerID=8YFLogxK

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/b57eb978-9838-3959-9c90-86bb06185501/

U2 - 10.1134/S0022476622110117

DO - 10.1134/S0022476622110117

M3 - Article

AN - SCOPUS:85143540837

VL - 63

SP - 1811

EP - 1819

JO - Journal of Structural Chemistry

JF - Journal of Structural Chemistry

SN - 0022-4766

IS - 11

ER -