GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

Molecular-beam epitaxy is used to produce GaP/Si hybrid substrates that allow the growth of highly efficient light-emitting heterostructures with GaAs/GaP quantum wells. Despite the relatively high concentration of nonradiative-recombination centers in GaP/Si layers, GaAs/GaP quantum-well heterostructures grown on GaP/Si hybrid substrates are highly competitive in terms of efficiency and temperature stability of luminescence to similar heterostructures grown on lattice-matched GaP substrates.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)1143-1147
Число страниц5
ЖурналSemiconductors
Том53
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 сен 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Emelyanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Gutakovskii, A. K., & Shamirzaev, T. S. (2019). GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates. Semiconductors, 53(9), 1143-1147. https://doi.org/10.1134/S1063782619090021