Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

A. V. Nenashev, J. O. Oelerich, A. V. Dvurechenskii, F. Gebhard, S. D. Baranovskii

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

13 Цитирования (Scopus)

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Технические дисциплины и материаловедение

Химические соединения

Физика и астрономия