Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

A. V. Nenashev, J. O. Oelerich, A. V. Dvurechenskii, F. Gebhard, S. D. Baranovskii

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

12 Цитирования (Scopus)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Химические соединения

Технические дисциплины и материаловедение

Физика и астрономия

General

Engineering

Physics