Formation of submicron- and micron-sized SiGe and Ge particles on Si substrates using dewetting

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

Аннотация

The arrays formation of submicron- and micron-sized SiGe and Ge dielectric particles on the Si and SiO2 surfaces, which occur due to solid-state dewetting, is investigated. The shape of the particles and their spatial distribution turned out to be strongly dependent on the crystallographic Si surface orientation, the amount of deposited Ge and the Ge deposition rate, as well as on the presence of a SiO2 film on the Si surface. Possible applications of various surface morphologies with metasurface properties are discussed.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012160
Число страниц3
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1461
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 23 апр 2020
Событие4th International Conference on Metamaterials and Nanophotonics, METANANO 2019 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 15 июл 201919 июл 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Formation of submicron- and micron-sized SiGe and Ge particles on Si substrates using dewetting». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать