Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties

A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestny, G. Yu Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, V. S. Epov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

The characteristics of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures based on insulating PbSnTe:In films with compositions in the vicinity of band inversion grown by molecular-beam epitaxy (MBE) are studied. It is shown that a number of features of the films can be due to a ferroelectric phase transition with a Curie temperature in the range of about T ≈ 15–20 K.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)1325-1331
Число страниц7
ЖурналSemiconductors
Том54
Номер выпуска10
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 окт 2020

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать