Evolution of photoemission properties on Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces under thermal cycling

V. S. Khoroshilov, D. M. Kazantsev, A. G. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

Аннотация

The photoemission properties on Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces prepared at room temperature were studied under thermal cycling. The evolution of electron affinity and escape probability to vacuum was measured using photoemission quantum yield spectroscopy for the surfaces with various Cs-O overlayer compositions. It was found that an increase in the oxygen exposure led to the improvement in the thermal stability of electron affinity.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012128
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1410
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 20 дек 2019
Событие6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2019 - Saint Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 22 апр 201925 апр 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Evolution of photoemission properties on Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces under thermal cycling». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать