Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

Anatoly Dvurechenskii, Andrew Yakimov, Victor Kirienko, Alekcei Bloshkin, Vladimir Zinovyev, Aigul Zinovieva, Alexander Mudryi

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

New approaches to enhance properties of silicon based quantum dot heterostructures for optical device application were developed. That is strain driven heteroepitaxy, small-sized quantum dots, elemental compositions of the heterointerface, virtual substrate, plasmonic effects, and the quantum dot charging occupation with holes in epitaxially grown Ge quantum dots (QDs) on Si(100). Experiments have shown extraordinary optical properties of Ge/Si QDs heterostructures and mid-infrared quantum dot photodetectors performance.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииPhysics and Technology of Nanostructured Materials
ИздательTrans Tech Publications Ltd
Страницы68-74
Число страниц7
Том386 DDF
ISBN (печатное издание)9783035714777
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2018
Событие4th Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, ASCO-NANOMAT 2018 - Vladivostok, Российская Федерация
Продолжительность: 23 сен 201828 сен 2018

Конференция

Конференция4th Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, ASCO-NANOMAT 2018
СтранаРоссийская Федерация
ГородVladivostok
Период23.09.201828.09.2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать