Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators

Abdur Rahim, G. M. Gusev, Z. D. Kvon, E. B. Olshanetsky, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Технические дисциплины и материаловедение

Химические соединения

Физика и астрономия