Electronic structure and charge transport mechanism in a forming-free SiOx-based memristor

Andrei A. Gismatulin, Vitalii A. Voronkovskii, Gennadiy N. Kamaev, Yuriy N. Novikov, Vladimir N. Kruchinin, Grigory K. Krivyakin, Vladimir A. Gritsenko, Igor P. Prosvirin, Albert Chin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

3 Цитирования (Scopus)

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Electronic structure and charge transport mechanism in a forming-free SiOx-based memristor». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Технические дисциплины и материаловедение

Химические соединения