Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

A. G. Zhuravlev, V. S. Khoroshilov, V. L. Alperovich

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

8 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The evolution of probabilities of escape of hot and thermalized electrons from GaAs(001) with adsorbed cesium and oxygen layers to vacuum at the transition from positive to negative effective electron affinity is studied by the photoemission quantum yield spectroscopy. A minimum of the probability of escape of thermalized electrons near zero electron affinity is revealed and explained.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)686-690
Число страниц5
ЖурналJETP Letters
Том105
Номер выпуска10
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать