Electron-Beam Crystallization of Thin Films of Amorphous Silicon Suboxide

Переведенное название: Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

E. A. Baranov, V. O. Konstantinov, V. G. Shchukin, A. O. Zamchiy, I. E. Merkulova, N. A. Lunev, V. A. Volodin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Впервые получен поликристаллический кремний (poly-Si) в результате воздействия электронного пучка на пленки аморфного гидрогенизированного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом 0.5 (a-SiO0.5:H) и толщиной 580 nm. Ускоряющее напряжение электронного пучка составляло 2000 V, а ток пучка --- 100 mA. Получены спектры комбинационного рассеяния света пленок кремния после отжига в зависимости от времени воздействия электронного пучка на исходный материал. Показано, что в результате отжига формируется поликристаллический кремний, напряжения в котором в зависимости от времени воздействия изменяются от сжатия до растяжения. Ключевые слова: тонкие пленки субоксида кремния, электронно-пучковый отжиг, поликристаллический кремний.
Переведенное названиеЭлектронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)263-265
Число страниц3
ЖурналTechnical Physics Letters
Том47
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - мар. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать