Electroluminescence from HgTe quantum wells

Yu B. Vasilyev, N. N. Mikhailov, A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

We report electroluminescence experiments on HgTe/Cd0.7Hg0.3Te quantum wells with inverted band structure in strong lateral electric fields. The electroluminescence is found to appear above a critical bias. Spectral measurements show emission peaks at energies around 6 meV and 70 meV corresponding to interband and intersubband transitions, respectively. The excitation mechanism is attributed to the Zener tunneling that is consistent with the current-voltage characteristics and the bias dependence of the emission intensity.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикации2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2021
ИздательIEEE Computer Society
Число страниц1
ISBN (электронное издание)978-1-7281-9424-0
DOI
СостояниеОпубликовано - 2021
Событие46th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2021 - Chengdu, Китай
Продолжительность: 30 авг 20213 сен 2021

Серия публикаций

НазваниеInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz
Том2021-August
ISSN (печатное издание)2162-2027
ISSN (электронное издание)2162-2035

Конференция

Конференция46th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2021
СтранаКитай
ГородChengdu
Период30.08.202103.09.2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.02.IQ ИНЖЕНЕРИЯ, ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Electroluminescence from HgTe quantum wells». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать