Electrical Properties of Beryllium-Doped Gd2Zr2O7

A. V. Shlyakhtina, N. V. Gorshkov, I. V. Kolbanev, K. I. Shefer, A. V. Kas’yanova, D. A. Medvedev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Dense Gd2Zr2O7-based ceramics with the composition Gd2Zr1.9Be0.1O6.9, containing heterovalently substituted beryllium on the zirconium site, have been prepared for the first time via mechanical activation of an oxide mixture, followed by annealing of green compacts at 1500°C. The use of mechanical activation has been shown to enable the preparation of dense ceramics (relative density of 88%) by annealing for 5 min and gas-tight ceramics (relative density of 97.3%) by annealing for 4 h. Gd2Zr1.9Be0.1O6.9 has a pure oxygen ion conductivity of 4.0 × 10–3 S/cm at 800°C. The main advantage of partial beryllium substitution on the zirconium site in Gd2Zr2O7 is the formation of a material having negligible electron and hole conductivities in wide ranges of oxygen partial pressures and temperatures.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)1184-1193
Число страниц10
ЖурналInorganic Materials
Том57
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - нояб. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
  • 2.04 ХИМИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ
  • 1.04 ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Electrical Properties of Beryllium-Doped Gd2Zr2O7». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать