Drift velocity in GaN semiconductors: Monte Carlo simulation and comparison with experimental measurements

Evgenia Kablukova, Karl Sabelfeld, Dmitrii Y. Protasov, Konstantin S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Drift velocity in GaN semiconductors: Monte Carlo simulation and comparison with experimental measurements». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Математика

Технические дисциплины и материаловедение