Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

Igor V. Osinnykh, Timur V. Malin, Denis S. Milakhin, Viktor F. Plyusnin, Konstantin S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

3 Цитирования (Scopus)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N:Si layers with Al content x > 0.5». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Технические дисциплины и материаловедение

Физика и астрономия

General

Physics

Chemistry and Materials

Engineering