Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO2 films under conditions of ion synthesis at high pressure

I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

    Fingerprint

    Подробные сведения о темах исследования «Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO<sub>2</sub> films under conditions of ion synthesis at high pressure». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

    Технические дисциплины и материаловедение

    Физика и астрономия

    Химические соединения