Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

The trap density in hafnia (H1O2) films produced by the atomic layer deposition technique with different precursor sets followed by annealing at various temperatures was determined from transport measurements. In was shown that hydrogen from the fyO-precursor plays an important role in the formation and further passivation of oxygen vacancies in H1O2 films. The equilibrium value of the trap density in hafnia films was found out.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииSEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR
РедакторыD Misra, S DeGendt, M Houssa, K Kita, D Landheer
ИздательElectrochemical Society, Inc.
Страницы265-270
Число страниц6
Том80
Издание1
ISBN (электронное издание)9781607685395
ISBN (печатное издание)978-1-62332-470-4
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2017
Событие15th Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics: In Memory of Samares Kar - 232nd ECS Meeting - National Harbor, Соединенные Штаты Америки
Продолжительность: 1 окт 20175 окт 2017

Серия публикаций

НазваниеECS Transactions
ИздательELECTROCHEMICAL SOC INC
Том80
ISSN (печатное издание)1938-5862

Конференция

Конференция15th Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics: In Memory of Samares Kar - 232nd ECS Meeting
СтранаСоединенные Штаты Америки
ГородNational Harbor
Период01.10.201705.10.2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., & Lebedev, M. S. (2017). Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques. В D. Misra, S. DeGendt, M. Houssa, K. Kita, & D. Landheer (Ред.), SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR (1 ред., Том 80, стр. 265-270). (ECS Transactions; Том 80). Electrochemical Society, Inc.. https://doi.org/10.1149/08001.0265ecst