Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped AlxGa1-xN: Si epitaxial layers with x > 0.5

I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференциирецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N: Si epitaxial layers with x > 0.5». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия