Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped AlxGa1-xN: Si epitaxial layers with x > 0.5

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The photoluminescence properties of the intensive defect-related emission in heavily doped AlxGal-xN:Si layers with x > 0.5 have been investigated by photoluminescence (PL) spectroscopy. The PL band in AlN was attributed to donor-acceptor (DA) transitions. At the lowest Al content, the impurity band merges with the conduction band and DA transitions are replaced by electron-acceptor transitions involving the same acceptor. The energy structure of recombination centers was obtained using the model of configuration coordinates for Al0.67Ga0.33N.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012006
Число страниц6
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том993
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 10 апр 2018
Событие19th Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2017 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 27 ноя 20171 дек 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N: Si epitaxial layers with x > 0.5». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать