Coulomb Center in a Transition Metal Dichalcogenide Monolayer

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Electronic processes involving a charged impurity in a transition metal dichalcogenide monolayer and in gapped graphene have been theoretically studied. The spectrum of bound states, the transport cross section for scattering of electrons on a charged donor center, and the donor photoionization probability have been calculated within the minimal two-band model. The last parameter has a significant valley selectivity.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи7
Страницы (с-по)545-550
Число страниц6
ЖурналJETP Letters
Том114
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - нояб. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Coulomb Center in a Transition Metal Dichalcogenide Monolayer». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать