Conduction mechanism of metal-TiO2–Si structures

V. M. Kalygina, I. S. Egorova, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, V. V. Atuchin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

13 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The conduction model has been proposed for the metal-TiO2–Si (MIS) structures. Rutile films have been prepared on Si substrates by magnetron sputtering of TiO2 target and annealing in the air at temperatures T = 800 and 1050 K. The current-voltage (CVC) and capacitance-voltage characteristics of the structures have been measured over the range of T = 283–363 K. At positive potentials on the gate, the conductivity of the MIS structures is determined by the space charge-limited current in the dielectric layer.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)59-63
Число страниц5
ЖурналChinese Journal of Physics
Том55
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 фев 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Conduction mechanism of metal-TiO<sub>2</sub>–Si structures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Kalygina, V. M., Egorova, I. S., Prudaev, I. A., Tolbanov, O. P., & Atuchin, V. V. (2017). Conduction mechanism of metal-TiO2–Si structures. Chinese Journal of Physics, 55(1), 59-63. https://doi.org/10.1016/j.cjph.2016.08.011