Charge transport mechanism of high-resistive state in RRAM based on SiOx

A. A. Gismatulin, V. N. Kruchinin, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, T. J. Yen, A. Chin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

12 Цитирования (Scopus)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Charge transport mechanism of high-resistive state in RRAM based on SiO<sub>x</sub>». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия

Engineering

Chemistry and Materials

General

Physics