Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

A. A. Gismatulin, Oleg M. Orlov, V. A. Gritsenko, G. Ya Krasnikov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Математика

Технические дисциплины и материаловедение

Физика и астрономия