Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

Andrei A. Gismatulin, Gennadiy N. Kamaev, Vladimir N. Kruchinin, Vladimir A. Gritsenko, Oleg M. Orlov, Albert Chin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия

Chemistry and Materials

Engineering

General

Physics