Characterization of Crystal Perfection in the Layers of (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs Heterostructures via the Second Harmonic Generation Method

Переведенное название: Характеризация кристаллического совершенства слоёв гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники

S. A. Dvoretskii, M. F. Stupak, N. N. Mikhailov, S. N. Makarov, A. G. Elesin, A. G. Verkhoglyad

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Проведён анализ процессов генерации второй гармоники в слоях CdTe, CdxHg1-xTe и подложки из GaAs гетероструктуры CdxHg1-xTe /CdTe/ZnTe/GaAs ориентации (013). Осуществлены измерения азимутальной зависимости сигналов второй гармоники в сравнении с расчётными данными, полученными при численном моделировании идеального кристалла заданной ориентации вблизи среза (013). Показано, что подложка и эпитаксиальные слои после выращивания имеют разворот плоскости ориентации, который составил для подложек из GaAs +8 и -3 угл. град. от идеальной плоскости (013), для слоёв КРТ - до 8 угл. град. от ориентации подложки, которые имеют слабую зависимость от состава по толщине. Наблюдаемые развороты плоскости ориентации зависят от несоответствия параметров решётки сопрягаемых материалов гетероструктуры CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs. Зафиксированное увеличение шума в минимумах азимутальной зависимости сигнала второй гармоники в слоях CdxHg1-xTe обусловлено присутствием разориентированных микроучастков.
Переведенное названиеХарактеризация кристаллического совершенства слоёв гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники
Язык оригиналаанглийский
Номер статьи3
Страницы (с-по)458-467
Число страниц10
ЖурналOptoelectronics, Instrumentation and Data Processing
Том57
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - сент. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.02 ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Характеризация кристаллического совершенства слоёв гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать