Atomic Rearrangements and Photoemission Processes at a p-GaN(Cs)–Vacuum Interface

V. V. Bakin, S. N. Kosolobov, S. A. Rozhkov, H. E. Scheibler, A. S. Terekhov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Spontaneous changes in photoemission properties of a р-GaN(Cs)–vacuum interface with effective negative electronic affinity induced by rearrangements of its atomic structure have been studied for the first time. The optimum Сs coating that ensures both the maximum photoelectron escape probability and its stability has been found. A thermodynamic model has been proposed to escape the relation of the photoemission properties of the р-GaN(Cs)–vacuum interface to its free energy and entropy.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)180-184
Число страниц5
ЖурналJETP Letters
Том108
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 авг 2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Atomic Rearrangements and Photoemission Processes at a p-GaN(Cs)–Vacuum Interface». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать