An Xps Study of Solid Solutions Mo1–XNbxS2 (0 < x < 0.15)

A. Yu Ledneva, S. A. Dalmatova, A. D. Fedorenko, I. P. Asanov, A. N. Enyashin, L. N. Mazalov, V. E. Fedorov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование


Solid solutions Mo1–xNbxS2 (x = 0, 0.05, 0.10, and 0.15) crystallizing in the hexagonal structure 2H-MoS2 are synthesized. The samples are characterized by powder X-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopies, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and quantum chemical calculations (DFT). The changes occurring in the electronic properties of high-resistivity semiconductor MoS2 and indicating metallic behavior of obtained solid solutions Mo1–xNbxS2 are not accompanied by substantial changes in the atomic photoelectron spectra.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)1833-1840
Число страниц8
ЖурналJournal of Structural Chemistry
Номер выпуска8
СостояниеОпубликовано - 1 дек. 2018


Подробные сведения о темах исследования «An Xps Study of Solid Solutions Mo1–XNbxS2 (0 < x < 0.15)». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).