AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors

M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Features of the molecular beam epitaxy growth of the AlSb/InAs heterostructures with a high-mobility two-dimensional electron gas for microwave transistors with ultralow power consumption are described. The main stages of fabrication of the transistors based on the AlSb/InAs heterostructures are outlined. The drain and drain–gate characteristics of the transistors are reported and discussed.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)139-142
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics Letters
Том47
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - фев 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ
  • 1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать