AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The structure of AlN/GaN heterostructures with an ultrathin AlN barrier is calculated for normally-off transistors. The molecular-beam epitaxy technology of in situ passivated SiN/AlN/GaN heterostructures with a two-dimensional electron gas is developed. Normally-off transistors with a maximum current density of ~1 A/mm, a saturation voltage of 1 V, a transconductance of 350 mS/mm, and a breakdown voltage of more than 60 V are demonstrated. Gate lag and drain lag effects are almost lacking in these transistors.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)379-386
Число страниц8
ЖурналSemiconductors
Том51
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мар 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать