Activation energy of gold-induced crystallization of amorphous silicon suboxide films

A. O. Zamchiy, E. A. Baranov, V. O. Konstantinov, N. A. Lunev, S. Z. Sakhapov, I. V. Korolkov, V. A. Volodin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Polycrystalline silicon (poly-Si) films were fabricated by gold-induced crystallization (AuIC) of amorphous silicon suboxide (a-SiOx, x = 0.2) films at temperatures of 210–275 °C. The films were studied by in situ optical microscopy, Raman spectroscopy, and X-ray diffractometry. The activation energy for AuIC of a-SiO0.2 was determined for the first time to be 1.7 ± 0.1 eV.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи132566
ЖурналMaterials Letters
Том323
DOI
СостояниеОпубликовано - 15 сен 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ
  • 2.03 МЕХАНИКА И МАШИНОСТРОЕНИЕ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Activation energy of gold-induced crystallization of amorphous silicon suboxide films». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать