Acoustic Phonons in Periodical GeSiSn/Si Nanostructures

K. V. Anikin, V. A. Timofeev, D. Solonenko, A. I. Nikiforov, A. G. Milekhin, D. R.T. Zahn

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференциирецензирование


We apply Raman spectroscopy to study the phonon spectrum in periodical GeSiSn/Si nanostructures with Sn concentration varied from 0 to 20%. In the optical spectral region, an insignificant shift of the phonon mode positions with a variation of the Sn content prevents determination of Sn concentration relying only on the optical phonons behavior. In the acoustic region, we observe the doublets of the folded acoustic phonons, the spectral positions of which undergo the low-frequency shift with increasing the Sn content. The application of the elastic continuum model with the linear approximation of sound velocity via Sn content in GeSiSn layers fails to explain the experimental results. This indicates a nonlinear Sn concentration dependence of sound velocity in GeSiSn layers which describes well the positions of the folded acoustic phonons.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012005
Число страниц7
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Номер выпуска1
СостояниеОпубликовано - 1 мар. 2020
Событие4th International Conference on Metamaterials and Nanophotonics, METANANO 2019 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 15 июл. 201919 июл. 2019


Подробные сведения о темах исследования «Acoustic Phonons in Periodical GeSiSn/Si Nanostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).