50-μJ level, 20-picosecond difference-frequency generation at 4.6-9.2 μm in LiGaS2 and LiGaSe2 at Nd:YAG laser pumping and various crystalline Raman laser seeding

S. N. Smetanin, M. Jelínek, V. Kubeček, A. Kurus, V. N. Vedenyapin, S. I. Lobanov, L. I. Isaenko

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

50-μJ-level difference-frequency generation at discrete wavelengths of 4.6, 5.4, 7.5, and 9.2 μm in high-damage-threshold LiGaS2 and LiGaSe2 crystals under picosecond Nd:YAG laser pumping and various crystalline (CaCO3, BaWO4, diamond) Raman laser seeding is demonstrated.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииAdvanced Solid State Lasers - Proceedings Laser Congress 2019 (ASSL, LAC, LS and C)
ИздательOptical Society of America (OSA)
ISBN (электронное издание)9781943580682
СостояниеОпубликовано - 23 сент. 2019
СобытиеAdvanced Solid State Lasers, ASSL 2019 - Part of Laser Congress 2019 - Vienna, Австрия
Продолжительность: 29 сент. 20193 окт. 2019

Серия публикаций

НазваниеAdvanced Solid State Lasers - Proceedings Laser Congress 2019 (ASSL, LAC, LS and C)

Конференция

КонференцияAdvanced Solid State Lasers, ASSL 2019 - Part of Laser Congress 2019
Страна/TерриторияАвстрия
ГородVienna
Период29.09.201903.10.2019

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «50-μJ level, 20-picosecond difference-frequency generation at 4.6-9.2 μm in LiGaS2 and LiGaSe2 at Nd:YAG laser pumping and various crystalline Raman laser seeding». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать