Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1 –xSb x)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms

Переведенное название: Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb

D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, T. P. Makarova, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. A. Golyashov, A. V. Koroleva, A. M. Shikin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Собственный магнитный топологический изолятор MnBi2 Te4 представляет собой многообещающую платформу для реализации квантового аномального эффекта Холла при повышенных температурах и других уникальных топологических эффектов. Однако для этого запрещенная зона в точке Дирака должна располагаться на уровне Ферми. Одним из широко используемых способов сдвига точки Дирака в область уровня Ферми является частичное замещение атомов Bi атомами Sb. В данной работе представлены результаты исследований электронной структуры остовных уровней и валентной зоны для соединений Mn(Bi1-x Sbx)2Te4 при изменении концентрации ( x ) атомов Sb (от 0 до 1). Показано, что с увеличением концентрации атомов Sb точка Дирака сдвигается в сторону уровня Ферми с локализацией на уровне Ферми при x ≈ 0.3. При этом наблюдается “жесткий” сдвиг валентной зоны, включая уровень Mn 3d, без видимых изменений структуры валентной и зоны проводимости. Концентрационная зависимость сдвига точки Дирака аппроксимируется корневой функцией, что соответствует линейному возрастанию плотности носителей заряда.
Переведенное названиеЭлектронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)286-291
Число страниц6
ЖурналJETP Letters
Том115
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - мар 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать