Structural Changes in Nanometer-Thick Silicon-on-Insulator Films During High-Temperature Annealing

Переведенное название: Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге

I. E. Tyschenko, E. V. Spesivtsev, A. A. Shklyaev, V. P. Popov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Термическая стабильность пленок кремний-на-изоляторе толщиной 4.7 и 2.2 нм исследовалась в зависимости от температуры отжига в интервале T=800-1200oС методами сканирующей электронной микроскопии и спектральной эллипсометрии. Никаких признаков плавления пленок не наблюдалось, пленки оставались протяженными в указанном интервале температур. Обнаружено уменьшение толщины пленок и изменение их фазового состава с ростом температуры. По данным спектральной эллипсометрии, с увеличением температуры отжига доля кристаллической фазы в пленках уменьшается, а доля аморфной растет. Определена энергия активации процесса аморфизации пленок. Обнаруженный эффект обсуждается с точки зрения диффузии атомов кислорода в пленку кремния и перестройки Si-Si-связей.
Переведенное названиеСтруктурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)223-229
Число страниц7
ЖурналSemiconductors
Том56
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - мар 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать